Sony GPVI Logo

16 Dez., 2021

Sony entwickelt die weltweit erste Stacked CMOS-Bildsensor-Technologie mit 2-Schichten-Transistor-Pixel

Die neue Technologie erweitert den Dynamikbereich und reduziert das Rauschen, indem sie den Signalsättigungswert2 in etwa verdoppelt3.

Wien. Der Sony Semiconductor Solutions Corporation („Sony“) ist es gelungen, die weltweit erste1 Stacked CMOS-Bildsensor-Technologie mit 2-Schichten-Transistor-Pixel zu entwickeln. Die neue Pixel-Architektur von Sony ist ein wichtiger Fortschritt für die Stacked CMOS-Bildsensor-Technologie. Sony gab diesen Durchbruch auf dem IEEE International Electron Devices Meeting vom 13. – 15.12.2021 in San Francisco bekannt.

Während bei herkömmlichen CMOS-Bildsensoren in Stacked-Bauweise die Fotodioden und Pixeltransistoren nebeneinander auf demselben Substrat angeordnet sind, werden sie bei der neuen Technologie von Sony auf separaten Substraten übereinander angeordnet. Die neue Stacking-Technologie ermöglicht die Einführung von Architekturen, bei denen die Fotodioden- und Pixeltransistorschichten jeweils optimiert werden können. So wird der  Signalsättigungswert2 im Vergleich zu herkömmlichen Bildsensoren in etwa verdoppelt3, der Dynamikbereich erweitert und das Rauschen reduziert, was die Abbildungseigenschaften erheblich verbessert. Die Pixelstruktur der neuen Technologie ermöglicht es, die bestehenden Eigenschaften der Pixel nicht nur bei den derzeitigen, sondern auch bei kleineren Pixelgrößen beizubehalten oder  zu verbessern.

Der rauscharme CMOS-Bildsensor hat einen gestapelten Aufbau, bestehend aus einem Pixelchip mit rückseitig beleuchteten Pixeln, der sich über einem Logikchip mit den Signalverarbeitungsschaltungen befindet. Im Pixelchip sind Fotodioden zur Umwandlung von Licht in elektrische Signale sowie nebeneinander auf derselben Ebene angeordnete Pixeltransistoren zur Steuerung der Signale. Den Signalsättigungswert innerhalb der Beschränkungen des Formfaktors zu erhöhen, trägt wesentlich dazu bei, eine hohe Bildqualität mit großem Dynamikbereich zu erzielen.

Weiterer Vorteil: Da die Pixeltransistoren (außer den Transfergattern) (TRG) – Rückstelltransistoren (RST), Auswahltransistoren (SEL) und Verstärkertransistoren (AMP) – eine fotodiodenfreie Schicht belegen, können die Verstärkertransistoren vergrößert werden. Durch diese Vergrößerung der Verstärkertransistoren ist es Sony gelungen, das Rauschen, das vor allem bei Nachtaufnahmen und Aufnahmen in dunklen Umgebungen häufig ein Problem darstellt, erheblich zu reduzieren.

Der erweiterte Dynamikbereich und die Rauschunterdrückung werden Unter- und Überbelichtungen in Umgebungen, in denen eine Kombination aus heller und schwacher Beleuchtung (z. B. bei Gegenlicht) herrscht, verhindern und hochwertige, rauscharme Bilder auch bei schwachem Licht ermöglichen (z.B. beim Fotografieren in Innenräumen oder bei Nachtaufnahmen).

Mit seiner neuen Technologie mit 2-Schichten-Transistor-Pixel leistet  Sony einen wertvollen Beitrag zur Verbesserung der Fotoqualität,  vor allem im Smartphonebereich.

 

———————————–

1 Zum Zeitpunkt dieser Ankündigung am 16. Dezember 2021.

2 Die maximale Elektronenspeicherkapazität eines einzelnen Pixels.

3 Vergleich auf 1-Quadrat-μm-äquivalenter Basis zwischen dem derzeitigen Bildsensor und einem mit der neuen Technologie ausgestatteten, rückseitig beleuchteten CMOS-Bildsensor von Sony; zum Zeitpunkt dieser Ankündigung am 16. Dezember 2021.

Über die Sony Corporation

Die Sony Corporation ist innerhalb der Sony Gruppe für den Geschäftsbereich Electronics Products & Solutions (EP&S) verantwortlich. Mit der Vision, “den Menschen und der Gesellschaft auf der ganzen Welt durch das Streben nach Technologie und neuen Herausforderungen weiterhin Kando und Anshin zu liefern”, wird Sony Produkte und Dienstleistungen in Bereichen wie Home Entertainment & Sound, Imaging und mobile Kommunikation entwickeln. Für weitere Informationen besuchen Sie: http://www.sony.net/

Architekturen von gestapelten CMOS-Bildsensoren

Architekturen von gestapelten CMOS-Bildsensoren

Schnittbild eines CMOS-Bildsensors mit der Pixeltechnologie aus zwei Transistorschichten. Die Fotodioden befinden sich am unteren Rand des Bildes.

Schnittbild eines CMOS-Bildsensors mit der Pixeltechnologie aus zwei Transistorschichten. Die Fotodioden befinden sich am unteren Rand des Bildes.

Sony Schweiz und Österreich
Registrieren Sie sich, um Pressemitteilungen von Sony per E-Mail zu erhalten
Sie haben sich erfolgreich für die Sony-Pressemitteilungs-E-Mails angemeldet
Fertig!
Ungültige E-Mail-Adresse